适用于：8~12英寸晶圆刻蚀 

设备特点：

1. 刻蚀性能优异，与Single Wafer机台完全持平，而能耗更低

2. 节能，药水单耗低于Single Wafer

3. 结构简单，使用方便，操作难度低于Single Wafer

4. 成本低廉，相同产能其价格约为Single Wafer机台的1/5

5. 设备升级空间巨大，容易搭载更多的功能